TOROSUS DDR4 मेमोरी SODIMM सीरीज

  • TOROSUS DDR4 Memory SODIMM Series
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TOROSUS DDR4 मेमोरी SODIMM सीरीज


  • रैम मेमोरी प्रकार: DDR4 DRAM;
  • मंद प्रकार: सोडिम;
  • आवृत्ति: 2400/2666/3200 मेगाहर्ट्ज;
  • क्षमता: 4जीबी/8जीबी/16जीबी/32जीबी;
  • ऑपरेटिंग तापमान रेंज: 0-75°के आसपास;
  • भंडारण तापमान रेंज: -40-75°के आसपास;
  • वोल्‍टेज: 1.2 वी;


  • TOROSUS DDR4 मेमोरी SODIMM सीरीज

 

  • बढ़ी हुई सिस्टम जवाबदेही - DDR4 लैपटॉप मेमोरी DDR3 की तुलना में बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती है, जिससे चिकनी मल्टीटास्किंग और एप्लिकेशन प्रदर्शन के लिए तेजी से डेटा एक्सेस और सिस्टम जवाबदेही सक्षम होती है।
 
  • कम बिजली की खपत - DDR4 मेमोरी मॉड्यूल DDR3 की तुलना में कम वोल्टेज स्तरों पर काम करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप बिजली की खपत कम होती है और लैपटॉप के लिए बैटरी जीवन बढ़ाया जाता है, जिससे वे मोबाइल कंप्यूटिंग के लिए आदर्श बन जाते हैं।
 
  • प्रश्‍नगुणवत्ताएकआश्वासन - TOROSUS DDR मेमोरी में स्थिरता और उच्च-प्रदर्शन संचरण दोनों की गारंटी के लिए 6-परत पीसीबी बोर्ड डिज़ाइन शामिल है। इसके अलावा, यह बेहतर उत्पाद गुणवत्ता और संगतता सुनिश्चित करने के लिए शीर्ष स्तरीय ए-लेवल नॉर फ्लैश को एकीकृत करता है।
 
  • विश्वसनीय लैपटॉप मेमोरी निर्माता- TOROSUS स्थायी उपयोग के लिए डिज़ाइन किए गए DDR मेमोरी उत्पादों की एक श्रृंखला देने के लिए कठोर आने वाले निरीक्षण मानकों, पेशेवर उत्पादन प्रक्रियाओं और कड़े गुणवत्ता प्रबंधन विधियों को नियोजित करता है। हमारे उत्पाद व्यापक संगतता, असाधारण स्थिरता, बेहतर पढ़ने-लिखने के प्रदर्शन और मुख्यधारा के कंप्यूटिंग प्लेटफार्मों के साथ सहज एकीकरण का दावा करते हैं।
 
  • विस्तारित क्षमता - DDR4 RAM 4GB, DDR4 RAM 8GB, DDR4 RAM 16GB, DDR4 RAM 32GB क्षमताओं, c में उपलब्धव्यक्तिगत जरूरतों के अनुसार संबंधित क्षमता को हूस करें।
टोरोसुस डीडीआर४ उडिम सीरीज राम तकनिकी विवरण
शृंखला DDR4 SODIMM श्रृंखला
ब्रांड टोरोसस
क्षमता 4जीबी 8जीबी 16जीबी 32छछ
मॉडल संख्या DDR4-NB-4GB DDR4-NB-8GB DDR4-NB-16GB DDR4-एनबी -32GB
ईएएन 6935515102700 6935515103097 6935515102717 6935515102731 6935515102755 6935515102748 6935515102762 6935515102779 6935515102786
मेमोरी स्पीड / 2400 मेगाहर्ट्ज 2666 मेगाहर्ट्ज 2400 मेगाहर्ट्ज 2666 मेगाहर्ट्ज 3200 मेगाहर्ट्ज 2666 मेगाहर्ट्ज 3200 मेगाहर्ट्ज 2666 मेगाहर्ट्ज 3200 मेगाहर्ट्ज
मेमोरी बैंडविड्थ (GB/s) 19200 21300 21300 21300
रैंक (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1आरएक्स8 1आरएक्स8 2आरएक्स8 2आरएक्स8
सीएएस विलंबता सीएल15-15-15-35 सीएल19-19-19-43 सीएल15-15-15-35 सीएल19-19-19-43 सीएल22-22-22-52 सीएल19-19-19-43 सीएल22-22-22-52 सीएल19-19-19-43 सीएल22-22-22-52
ऑपरेटिंग वॉल्यूमtage 1.2वी
नहीं। मेमोरी आईसी की 4//8//16
बिजली की खपत 3W
नियंत्रक आईसी नहीं
ओवरक्लॉक सपोर्ट (हाँ/नहीं) नहीं
ईसीसी (त्रुटि सुधार कोड) (हां/नहीं) नहीं
शुद्ध वजन (छ) 10 जी
सकल वजन (g) 25 जी
पिन गणना 260
ODM समर्थन हाँ
हीट सिंक / हीट स्प्रेडर नहीं
बनाने का कारक सोडिम
कंप्यूटर मेमोरी प्रकार (DRAM/SDRAM) दरम
परिचालन तापमान 0-70°के आसपास
भंडारण तापमान -40~85°के आसपास
वारंटी 3 वर्ष
नहीं। मेमोरी चैनलों की संख्या (एकल/दोहरी) (सिंगल/डुअल)
उत्पाद आयाम (W x D x H) मिमी में 70x30x3 मिमी
बफर्ड / अन-बफर मेमोरी अन-बफर मेमोरी
मेमोरी आईसी ब्रांड माइक्रोन/सैमसंग/एसके हाइनिक्स

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